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BCX70G中文资料

BCX70G图片

BCX70G外观图

  • 大小:329.88KB
  • 厂家:
  • 描述:BCX70 SERIES SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX70 Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODES: BCX70G: AG BCX70H: AH BCX70J: AJ BCX70K: AK MAXIMUM RATINGS: (T A =25°C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage V CBO 45 V Collector-Emitter Voltage V CEO 45 V Emitter-Base Voltage V EBO 5.0 V Continuous Collector Current I C 100 mA Peak Collector Current I CM 200 mA Peak Base Current I BM 200 mA Power Dissipation P D 350 mW Operating and Storage Junction Temperature T J , T stg -65 to +150 °C Thermal Resistance Θ JA 357 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T A =25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS I CBO V CB =45V 20 nA I CBO V CB =45V, T A =150°C 20 μA I EBO V EB =4.0V 20 nA BV CBO I C =10μA 45 V BV CEO I C =10mA 45 V BV EBO
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):20nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 频率 - 转换:125MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23
  • 包装:带卷 (TR)

BCX70G供应商

更新时间:2023-01-11 20:12:47
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